報道稱，此前有消息表示三星電子的 3nm 良品率超過 60%，且已經(jīng)向中國客戶交付了一款芯片，但由于該工藝省略了邏輯芯片中的 SRAM，因此很難將其視為“完整的 3nm 芯片”。

　　業(yè)界認為，盡管三星已經(jīng)率先量產(chǎn)重點發(fā)展的 3nm 全柵極技術(shù)(GAA)，但它的產(chǎn)量還不足以影響大客戶。在這種技術(shù)中，由于柵極環(huán)繞在構(gòu)成半導體的晶體管中電流通道的四邊，與此前環(huán)繞三邊的工藝相比，難度自然會增加。一位熟悉三星的人士透露，“要贏得高通等大客戶明年的 3nm 移動芯片訂單，良率至少需要提高到 70%。”

　　至于臺積電，雖然作為目前唯一一家擁有 3nm 量產(chǎn)記錄的公司，但其產(chǎn)量同樣低于最初預期。有分析師表示，臺積電 3nm 工藝中使用了與上一代工藝相同的 FinFET 結(jié)構(gòu)，可能“未能控制”過熱問題。

　　當前兩家公司仍在努力實現(xiàn) 60% 以上良品率的目標。臺積電計劃在明年量產(chǎn) N3E、N3P、N3X、N3AE 等，重點就是提高良品率降低成本。

　　此外，一位半導體業(yè)內(nèi)人士透露稱，三星、臺積電和英特爾都在準備 2nm 工藝，但與 3nm 相比，性能和功耗效率的提升“并不明顯”，因此預計 3nm 工藝芯片的需求持續(xù)時間將超過預期。

　　據(jù)此前報道，天風國際分析師郭明錤上月末在 X 平臺(原推特)發(fā)文，針對目前蘋果 iPhone 15 Pro 手機過熱問題進行了解讀，并表示“與臺積電 3nm 制程無關(guān)”。

　　郭明錤稱：“我的調(diào)查指出，iPhone 15 Pro 系列的過熱問題，與臺積電的 3nm 制程無關(guān)，主要很可能是為了讓重量更輕，因此對散熱系統(tǒng)設(shè)計作出了妥協(xié)，像是散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等。預計蘋果將會通過更新系統(tǒng)修復此問題，但除非降低處理器性能，否則改善效果可能會有限。如果蘋果沒有妥善解決這個問題，可能會不利于 iPhone 15 Pro 系列產(chǎn)品周期的出貨量。”