據(jù)相關(guān)人員透露，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將要求調(diào)整本財(cái)年半導(dǎo)體相關(guān)補(bǔ)充預(yù)算至3.4萬億日元，用于擴(kuò)增對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)、研發(fā)提供援助而設(shè)立的3個(gè)基金規(guī)模，這是去年修正后預(yù)算(1.3萬億日元)的2.6倍。
關(guān)系人士指出，具體來說，經(jīng)產(chǎn)省認(rèn)為有必要對(duì)臺(tái)積電計(jì)劃興建的日本二廠提供9000億日元、對(duì)日本Rapidus提供近6000億日元、對(duì)索尼CMOS圖像傳感器等傳統(tǒng)芯片提供7000億日元的補(bǔ)助。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音曾在7月20日舉行的法說會(huì)上表示，日本一廠將如期于2024年底量產(chǎn)。經(jīng)產(chǎn)省對(duì)臺(tái)積電日本一廠最高補(bǔ)助4760億日元。
此前有消息稱，臺(tái)積電日本二廠預(yù)計(jì)將在2024年4月動(dòng)工，目標(biāo)2026年底開始進(jìn)行生產(chǎn)，主要將生產(chǎn)12nm制程芯片。
